2016年7月，長(cháng)江存储成立于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一體(tǐ)化的IDM集成電(diàn)路企业。
2017年10月，長(cháng)江存储通过自主研发和國(guó)际合作相结合的方式，成功设计制造中國(guó)首款3D NAND闪存；2020年4月，長(cháng)江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作為(wèi)业界首款128层QLC闪存，拥有(yǒu)业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
7月23日，國(guó)产存储装置厂商(shāng)阿斯加特宣布推出首款PCIe 4.0 SSD产品，型号為(wèi)“AN4”，这款固态硬盘搭载英韧主控和長(cháng)江存储的國(guó)产闪存。
据悉，阿斯加特AN4配备了長(cháng)江存储Xtacking 2.0架构、128层堆叠的3D TLC闪存芯片，可(kě)选容量512GB、1TB、2TB。其中8月初先行上線(xiàn)1TB版本，都带有(yǒu)独立缓存。
图：阿斯加特 AN4
長(cháng)江存储，128层3D NAND闪存正式出货
長(cháng)江存储在近日又(yòu)有(yǒu)了动态，或者说是个好消息。据國(guó)内存储巨头嘉合劲威官方消息，旗下品牌阿斯加特推出新(xīn)品AN4 PCIe 4.0 SSD固态硬盘，正是采用(yòng)長(cháng)江存储128层3D NAND闪存。長(cháng)江存储从128层3D NAND闪存的研发到量产，再加上此次阿斯加特新(xīn)品的推出，意味着長(cháng)江存储128层3D NAND闪存已经正式出货。而对于目前尚没有(yǒu)高端PCIe 4.0 SSD的國(guó)产存储来说，長(cháng)江存储无疑填补了此项空白。
据官方介绍，阿斯加特AN4搭载長(cháng)江存储Xtacking 2.0架构、128层堆叠的3D TLC NAND闪存芯片，可(kě)选容量為(wèi)512GB、1TB、2TB。其中8月初先行上線(xiàn)1TB版本，都带有(yǒu)独立缓存。主控方案则是来自英韧科(kē)技的IG5236，是一款8闪存通道设计、PCIe 4.0 x4接口的旗舰级固态硬盘主控。
尽管PCIe 4.0在市场上的呼声有(yǒu)两三年了，但至今都算不上大众化，前PCIe 3.0仍是市场主流。不过，三星、西部数据、希捷、海盗船、威刚等厂商(shāng)皆已发布了支持PCIe 4.0的SSD固态硬盘。业内人士表示，市场上只有(yǒu)高端产品才会选择采用(yòng)PCIe 4.0。也就是说，此次阿斯加特新(xīn)品的推出，意味着纯國(guó)产SSD固态硬盘正式打入高端市场。
需要简单说明一下的是，一条完整的SSD需要具备主控芯片、闪存芯片和缓存芯片。其中闪存颗粒占到SSD固态硬盘总成本的大约70%，决定了固态硬盘的容量。同时，由于闪存颗粒是存在擦写寿命的，所以还决定了固态硬盘的最终使用(yòng)寿命。再则，闪存颗粒是最终读写的对象，对于速度也有(yǒu)着重要的影响。与此同时，在一条SSD中，除了闪存颗粒外，主控芯片作為(wèi)SSD固态硬盘的大脑，控制着固态硬盘的信息传输方式，调度数据在闪存颗粒的存取，通过各种技术手段，保证闪存颗粒的读写速度和寿命。所以，主控芯片也对SSD固态硬盘的性能(néng)起着关键作用(yòng)。
结合上文(wén)提到的，長(cháng)江存储首创Xtacking技术，应用(yòng)该技术顺利研发出64层3D NAND闪存，在2019年9月量产256Gb（32GB） TLC 3D NAND闪存。鉴于國(guó)际上领先厂商(shāng)已经拥有(yǒu)100层以上NAND闪存技术，因而長(cháng)江存储宣布跳过业界常见的96层闪存，直接研发128层3D NAND闪存。时隔7个月后，亦即2020年4月，長(cháng)江存储宣布成功研发128层3D NAND闪存。从32层到64层，再到128的跨越，長(cháng)江存储仅用(yòng)3年时间就已完成从追赶者到与主流大厂并肩而行的“角色转换”，一度引发业界震撼。此次長(cháng)江存储128层闪存产品由嘉合劲威旗下品牌首发，前者是國(guó)产闪存芯片领域颇具代表性的IDM厂商(shāng)，后者是國(guó)内存储品牌巨头，两者的合作自然是给國(guó)产存储带来了更多(duō)想象空间。据悉，嘉合劲威是長(cháng)江存储首批Xtacking 3D NAND钻石级生态合作伙伴。
另外，此次阿斯加特AN4主控芯片供应商(shāng)是英韧科(kē)技，英韧科(kē)技带有(yǒu)美满（Marvell）的血液，公司联合创始人之一吴子宁曾任美满全球首席技术官。据悉，英韧科(kē)技曾自主研发的Rainier是全球范围内第一批研发成功且实现量产的12纳米PCIe Gen 4主控芯片，也是目前國(guó)内唯一一颗已经量产了的PCIe Gen4主控芯片，主要面向数据中心、企业级和高端消费领域应用(yòng)。
总部位于中國(guó)武汉的長(cháng)江存储，于2016年7月成立，是一家集“开发设计和生产制造”于一體(tǐ)的3D NAND Flash闪存芯片厂商(shāng)（IDM模式）。同时，長(cháng)江存储还可(kě)面向业界提供完整的存储器解决方案。据官网称，目前，長(cháng)江存储已在武汉、上海、北京等地设有(yǒu)研发中心，全球共有(yǒu)员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。
值得一提的是，武汉新(xīn)芯作為(wèi)長(cháng)江存储旗下子公司，拥有(yǒu)制造NOR Flash闪存的经验超过10年。仅2020年，NOR Flash闪存在全球的市场规模约23亿美金，NAND Flash闪存在全球的市场规模约566亿美金。所以，可(kě)以这样说，長(cháng)江存储同时涉足了NAND闪存和NOR闪存。而長(cháng)江存储最终的目标，应该是希望能(néng)够跻身全球闪存芯片市场占据一席重要的地位，為(wèi)下游客户供货。
長(cháng)江存储：不会受紫光集团破产重整司法程序的直接影响
7月16日，長(cháng)江存储在向观察者网发来的一份声明中表示，紫光集团是長(cháng)江存储投资股东之一，長(cháng)江存储有(yǒu)独立的公司治理(lǐ)架构并始终保持独立经营。目前，長(cháng)江存储的管理(lǐ)团队稳定，运营正常，资金储备充裕。声明表示，该公司经营活动将不会受到紫光集团此次破产重整的司法程序的直接影响。
查询股权结构发现，長(cháng)江存储第一大股东為(wèi)湖(hú)北紫光國(guó)器科(kē)技控股有(yǒu)限公司，持股比例為(wèi)51%，后者由紫光集团间接持股；第二大股东為(wèi)國(guó)家集成電(diàn)路产业投资基金股份有(yǒu)限公司（國(guó)家大基金），持股比例為(wèi)24.1%；第三大股东為(wèi)湖(hú)北省科(kē)技投资集团有(yǒu)限公司，持股比例為(wèi)13%；第四大股东為(wèi)湖(hú)北國(guó)芯产业投资基金合伙企业（有(yǒu)限合伙），持股比例為(wèi)12%。目前，長(cháng)江存储法定代表人為(wèi)紫光集团董事長(cháng)赵伟國(guó)。
启信宝截图
7月9日，紫光集团发布公告称，该集团收到北京市第一中级人民(mín)法院送达的《通知书》，主要内容為(wèi)：相关债权人以紫光集团不能(néng)清偿到期债務(wù)，资产不足以清偿全部债務(wù)且明显缺乏清偿能(néng)力，具备重整价值和重整可(kě)行性為(wèi)由，向法院申请对紫光集团进行破产重整。该集团将依法全面配合法院进行司法审查，积极推进债務(wù)风险化解工作，支持法院依法维护债权人合法权益。
来源：半导體(tǐ)行业联盟
