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長(cháng)江存储

長(cháng)江存储控股是紫光集团联合國(guó)家集成電(diàn)路产业基金、湖(hú)北省地方基金、湖(hú)北科(kē)投共同投资建设,项目总投资為(wèi)300亿美元的國(guó)家存储器基地项目,打造國(guó)家级存储器芯片设计制造基地。设计并制造了中國(guó)首批3D NAND闪存芯片。

2021年湖(hú)北科(kē)投代表湖(hú)北省政府参与紫光集团整體(tǐ)破产重整,经过不懈努力,成功签署重整投资协议,保障湖(hú)北國(guó)资对長(cháng)江存储的控制权。

長(cháng)江存储通过自主创新(xīn)和研发,不断取得技术突破,走出了一条高端芯片设计制造的创新(xīn)之路。長(cháng)江存储于2017年12月成功设计并制造中國(guó)首批32层闪存芯片,打破國(guó)外垄断。于2019年9月,启动量产64层256Gb TLC 3D NAND,為(wèi)中國(guó)首款64层3D NAND闪存,也是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,拥有(yǒu)同代产品中最高的存储密度。2020年4月,長(cháng)江存储跳过96层内存技术,直接研制成功128层3D NAND,达全球领先水平。2021年7月長(cháng)江存储128层3D NAND正式出货,阿斯加特推出AN4 PCIe4.0 SSD中采用(yòng)長(cháng)江存储128层3D TLC NAND,填补高端PCle4.0 SSD的國(guó)产存储市场空白。这标志(zhì)着長(cháng)江存储基本与國(guó)际厂商(shāng)保持了同步,在QLC、I/O速度等方面甚至走在了國(guó)际厂商(shāng)的前面。

長(cháng)江存储.png

投资单位:
武汉光谷产业投资有(yǒu)限公司

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